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引言5 U+ ~/ Q. e9 C% J1 p7 b. P& t
空間光調(diào)制器(SLM)在量子計(jì)算、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。本文探討在可見光至近紅外波段工作的突破性SLM技術(shù),結(jié)合壓電致動(dòng)實(shí)現(xiàn)高速操作。該技術(shù)將氮化硅諧振波導(dǎo)光柵與氮化鋁壓電致動(dòng)器結(jié)合,采用CMOS兼容工藝在200毫米硅晶圓上制造[1]。- f H; m. v2 {& R
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主要技術(shù)指標(biāo)包括:9 K$ x( Z4 n/ \' f8 I
在可見光至近紅外波段工作高通道密度(>100 mm?2)高調(diào)制速度(>100 MHz)高消光比(>20 dB)
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, h8 X0 z! o; G7 o% _7 A8 Z6 m
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: n" E) C! e+ C4 d( P1 R* V Q7 Z
圖1展示器件概念和實(shí)物圖像。(a,b)展示基于壓電致動(dòng)氮化硅諧振波導(dǎo)光柵的SLM技術(shù)概念。(c)顯示電壓引起光譜移動(dòng)的工作原理。(d)顯示連接到印刷電路板的4×4 SLM芯片。(e)顯示像素間距為50μm的4×4 SLM顯微圖像。(f)顯示被溝槽包圍的光柵掃描電鏡圖像。% {# @( n. G. k/ g) C' f
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器件設(shè)計(jì)與工作原理
" x! U" x$ \, w' u9 s7 }該器件采用氮化硅諧振波導(dǎo)光柵,設(shè)計(jì)工作波長(zhǎng)約為780納米。光柵周期為0.490微米,氮化硅厚度為0.3微米。在交叉偏振光測(cè)試下,器件表現(xiàn)出陡峭的光譜特性,消光比超過(guò)20分貝。7 \( Q7 d" }$ w( i- N
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% h3 \% \3 v( }2 m0 @! T# ^' T圖2展示器件光學(xué)設(shè)計(jì):(a)模擬與測(cè)量的反射光譜對(duì)比,(b)光柵周期對(duì)反射光譜的影響,(c)TE/TM偏振波振幅比和相位差,(d)不同光柵尺寸的反射光譜。
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6 D& E9 d# {+ _3 h2 Z機(jī)械設(shè)計(jì)對(duì)器件性能起關(guān)鍵作用。制造后,像素由二氧化硅支柱支撐,當(dāng)向壓電層施加電壓時(shí)允許機(jī)械運(yùn)動(dòng)。; y& ?4 K: V- F. q( b! C
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" [. _9 T- Y- g9 e圖3說(shuō)明機(jī)械設(shè)計(jì):(a)釋放器件的截面示意圖,(b)顯示下切的器件截面掃描電鏡圖像,(c)5.9MHz時(shí)的機(jī)械模式模擬,(d)支柱直徑和光柵尺寸與本征頻率的關(guān)系。
% `& y# M' V3 S7 d2 q& r( b z# F F+ [- B% p* S: X4 p
器件表征與性能
5 G7 |8 u* b3 f: o; J( F性能表征揭示了器件運(yùn)行的幾個(gè)重要方面。反射光譜與模擬結(jié)果高度吻合,實(shí)現(xiàn)超過(guò)20分貝的消光比。當(dāng)對(duì)照明像素施加交流電壓時(shí),器件展現(xiàn)出明顯的、頻率相關(guān)的調(diào)制能力。# l" M: g9 H% Q9 c4 F5 a
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0 u4 V7 ?, J1 T9 H" {% D l% N圖4顯示器件表征:(a)反射光譜和調(diào)制幅度,(b)釋放和未釋放器件的波長(zhǎng)移動(dòng)與交流頻率關(guān)系,(c)機(jī)械諧振頻率測(cè)量,(d)機(jī)械模式衰減測(cè)量,(e)交叉偏振光測(cè)試裝置示意圖。
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應(yīng)用與未來(lái)發(fā)展
1 ~& t- r: `; f" c/ c該SLM技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域具有應(yīng)用價(jià)值:
! E! T; P$ w, }1 q. e& D' a( e1. 量子計(jì)算與控制0 j# G N9 z+ F2 ?( T; n; N7 J/ [' w
原子量子系統(tǒng)的精確控制原子陷阱特定光學(xué)圖案的產(chǎn)生高速量子態(tài)操控
- b4 Y3 u& w0 d0 ]- w7 S8 {3 ^0 Y# n; x! R4 @, c/ h
2. 顯示技術(shù)$ Y8 a+ e5 Y/ \$ J' O
增強(qiáng)和虛擬現(xiàn)實(shí)系統(tǒng)高速投影系統(tǒng)動(dòng)態(tài)全息顯示; \5 B5 u0 d- ?3 J8 {
- W+ U( V6 Y7 C' p- J3. 光通信
' i) \# T! f6 i& O( p快速光開關(guān)波分復(fù)用信號(hào)處理
) @3 A5 o! H5 u- f* l2 }
: K6 L/ n- T9 m& Q% w1 z6 n4. 科學(xué)儀器
. S' K; ~0 F6 r$ U9 |, l: \) W顯微成像系統(tǒng)激光測(cè)距應(yīng)用光譜分析2 \% u( B9 d+ U3 O8 u
7 E2 @+ h; U) W; k未來(lái)改進(jìn)方向包括:5 @' c' o4 p5 B: [1 r" E2 _
降低工作電壓實(shí)施后制造調(diào)節(jié)技術(shù)提升機(jī)械諧振控制擴(kuò)展工作波長(zhǎng)范圍
8 J% G9 |# S% D( l; f! w: {" E0 [0 y- u
根據(jù)應(yīng)用需求,該技術(shù)可以進(jìn)行不同配置:; g, @+ V- K4 H. ]5 J) l4 f: E
利用機(jī)械諧振產(chǎn)生特定頻率創(chuàng)建時(shí)變光圖案生成全帶寬任意波形) f3 v+ R7 U J8 |' g* Y
9 ^5 p' e3 o4 `8 g2 x結(jié)論/ t2 J, e6 E/ V# ~* H9 f, x2 j3 f
本文介紹了新型空間光調(diào)制器技術(shù),結(jié)合壓電致動(dòng)與氮化硅諧振波導(dǎo)光柵。該技術(shù)在可見光至近紅外波段實(shí)現(xiàn)高速操作,同時(shí)保持高通道密度和高消光比。CMOS兼容制造工藝確?蓴U(kuò)展性,并可與現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)集成。
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器件展示的性能特征,包括超過(guò)100MHz的調(diào)制速度和優(yōu)于20分貝的消光比,使這項(xiàng)技術(shù)在量子計(jì)算、顯示、通信和科學(xué)儀器等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價(jià)值。持續(xù)的開發(fā)和優(yōu)化將進(jìn)一步提升其性能并拓展應(yīng)用范圍。
9 Y: B7 u# {/ {
: k& `* O8 D. @2 c參考文獻(xiàn)
( c1 }- y4 J, O8 b [! K9 u[1] T. Vanackere et al., "Piezoelectrically actuated high-speed spatial light modulator for visible to near-infrared wavelengths," arXiv:2410.19058v1 [physics.optics], Oct. 2024.
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