運(yùn)放電流檢測(cè)電路 使用運(yùn)放電流檢測(cè),檢測(cè)方式有高端檢測(cè)和低端檢測(cè)兩種電路。 高端電流檢測(cè)
優(yōu)點(diǎn):-可以檢測(cè)區(qū)分負(fù)載是否短路-無(wú)地電平干擾
缺點(diǎn):-共模電壓高,使用非專用分立器件設(shè)計(jì)較復(fù)雜、成本高、面積大 低端電流檢測(cè)
優(yōu)點(diǎn):-共模電壓低,可以使用低成本的普通運(yùn)算放大器
缺點(diǎn):-檢流電阻引入地電平干擾,電流越大地電位干擾越明顯,有時(shí)甚至?xí)绊懾?fù)載 這里舉一個(gè)例子,LMV321芯片,我們對(duì)我們的負(fù)載進(jìn)行取樣 我們使用我們的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)查找此芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)。
+08:00C356聯(lián)盟網(wǎng)3554..png (180.73 KB, 下載次數(shù): 33)
下載附件
保存到相冊(cè)
2019-10-15 15:33 上傳
+08:00C356聯(lián)盟網(wǎng)1721..png (91.64 KB, 下載次數(shù): 35)
下載附件
保存到相冊(cè)
2019-10-15 15:33 上傳
此處是低端電流取樣檢測(cè),根據(jù)運(yùn)放的虛短和虛短的原則,V-=V+;有(Vout-V-)/R=V-/R1; 這里整理公式:VOUT=V+*(R+R1)/R1. 然后我們算V+=mos流過(guò)電阻電流*R2 ,整理公式:mos流過(guò)電流電阻電流=V+/R2=VOUT*R1/(R+R1)/R2。
+08:00C356聯(lián)盟網(wǎng)2215..png (85.27 KB, 下載次數(shù): 34)
下載附件
保存到相冊(cè)
2019-10-15 15:33 上傳
這里高端電流采樣,根據(jù)虛短虛短關(guān)系列出關(guān)系式:(VOUT-V)R06-=(V-V)/R05,V+/R02=(VCC-V+)/R03,注意R06=R02,R05=R03,這里對(duì)稱,V-VCC=采樣電流I*R04。整理最后一項(xiàng)公式得出采樣電流I=VOUT*R05/(R06+R04). 游客,如果您要查看本帖隱藏內(nèi)容請(qǐng) 回復(fù)每天學(xué)習(xí)一個(gè)技巧,日積月累你也是專家!
使用前請(qǐng)您先閱讀以下條款:
1、轉(zhuǎn)載本站提供的資源請(qǐng)勿刪除本說(shuō)明文件。
2、分享技術(shù)文檔源自凡億教育技術(shù)驗(yàn)總結(jié)分享!
3、表述觀點(diǎn)僅代表我方建議,不對(duì)直接引用造成損失負(fù)責(zé)! -------------------------------------------------------------- 更多技術(shù)干貨文章推送,請(qǐng)關(guān)注 凡億PCB 公眾微信號(hào)! file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml24112\wps8.jpg
|