有很多朋友分不清Nand Flash、Nor Flash的不同,也搞不懂SLC、MLC、Parallel NOR Flash等究竟是什么意思,今天宏旺半導(dǎo)體就跟大家系統(tǒng)地梳理一下這些名詞分別指什么,它們又有什么不同。 在了解這些之前,首先要了解什么是 Flash Memory。Flash Memory就是快閃存儲器,即通常說的閃存,是一種非易失性存儲器,斷電數(shù)據(jù)也不會丟失。宏旺半導(dǎo)體了解到,根據(jù)硬件上存儲原理的不同,F(xiàn)lash Memory 主要可以分為 NOR Flash 和NAND Flash 兩類: Nor FLASH使用方便,易于連接,可以在芯片上直接運行代碼,穩(wěn)定性出色,傳輸速率高,在小容量時有很高的性價比,很適合應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)中作為 FLASH ROM。 相對于Nor FLASH,Nand FLASH強(qiáng)調(diào)更高的性能,更低的成本,更小的體積,更長的使用壽命。這使Nand FLASH很擅于存儲純資料或數(shù)據(jù)等,在嵌入式系統(tǒng)中用來支持文件系統(tǒng)。目前,絕大部分手機(jī)和平板等移動設(shè)備中所使用的 eMMC 內(nèi)部的 Flash Memory ,都屬于 NAND Flash。PC 中的固態(tài)硬盤中也是使用 NAND Flash。 NAND Flash根據(jù)存儲方式可分為四種:SLC、MLC、TLC、QLC。SLC(Single-Level Cell )單層式存儲,即1bit/cell,存儲密度最低、寫入數(shù)據(jù)時電壓變化區(qū)間小,壽命最長約10萬次擦寫壽命,穩(wěn)定性最好,多數(shù)應(yīng)用高端企業(yè)級產(chǎn)品。 MLC(Multi-Level Cell)閃存,即2bit/cell,多層式存儲,雙層存儲電子結(jié)構(gòu),存儲密度高于SLC,壽命在3000-5000次,應(yīng)用民用中高端SSD上。 TLC(Trinary-Level Cell)閃存,即3bit/cell,是目前最流行的閃存芯片,存儲密度是MLC的1.5倍,成本更低,使用壽命也更短,在1000-1500次,但穩(wěn)定性比較差。 QLC(Quad-Level Cel),每單元可存儲4比特數(shù)據(jù)(4bits/cell),性能、壽命進(jìn)一步變差,只能經(jīng)受1000次編程/擦寫循環(huán),但是容量進(jìn)一步提升,成本也繼續(xù)降低。 宏旺半導(dǎo)體稍稍總結(jié)一下,簡單來說,這四類當(dāng)中,SLC的性能最優(yōu),價格超高,一般用作企業(yè)級或高端發(fā)燒友;MLC性能夠用,價格適中為消費級SSD應(yīng)用主流;TLC綜合性能最低,價格最便宜,但可以通過高性能主控、主控算法來彌補(bǔ)、提高TLC閃存的性能;QLC出現(xiàn)的時間很早,價格便宜,容量大。 SLC是企業(yè)級服務(wù)器用的,MLC已經(jīng)逐漸退出市場,目前TLC是普通用戶主流存儲顆粒。宏旺半導(dǎo)體也有SLC顆粒高性能存儲產(chǎn)品,有需要可以來找宏旺聊聊。 根據(jù)與CPU 端接口的不同,NOR Flash可以分為Parallel NOR Flash 和 Serial NOR Flash 兩類。Parallel NOR Flash 可以接入到 Host 的 SRAM/DRAM Controller 上,所存儲的內(nèi)容可以直接映射到 CPU 地址空間,不需要拷貝到 RAM 中即可被 CPU 訪問,因而支持片上執(zhí)行。Serial NOR Flash 的成本比 Parallel NOR Flash 低,主要通過 SPI 接口與 Host 連接。 相信通過上述的分享,大家應(yīng)該對這些名詞有了一定的了解。宏旺半導(dǎo)體ICMAX后期會給大家?guī)砀嗯c存儲行業(yè)相關(guān)的文章,有什么不明白的歡迎留言私信,一定要記得關(guān)注宏旺半導(dǎo)體哦!
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