DDR5來了：新內(nèi)存規(guī)范發(fā)布，速度、功能、應(yīng)用日期確定

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本文來源：企鵝號(hào)PCEVA實(shí)驗(yàn)室

JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)剛剛宣布了DDR5 SDRAM的規(guī)范，提高性能和擴(kuò)大容量成為它的關(guān)鍵詞。DDR5的頻率將達(dá)到6400MHz或更高，單根LRDIMM內(nèi)存的容量可達(dá)2TB。

不變的引腳數(shù)量：

DDR5內(nèi)存插槽的引腳數(shù)量和DDR4保持一致，同為288個(gè)。但不用奢望它能夠向下兼容，因?yàn)橐�腳定義發(fā)生了大幅改變。

單模塊雙通道：

DDR3和DD4的一根內(nèi)存條擁有64比特?cái)?shù)據(jù)通道，而DDR5將64比特拆分成兩個(gè)32比特通道，從而提高多個(gè)內(nèi)存顆粒之間的數(shù)據(jù)讀寫并行性。（下圖中展示的是帶有ECC功能的服務(wù)器內(nèi)存，所以每個(gè)通道是40比特）

在單個(gè)DIMM被分成2個(gè)通道之后，DDR5內(nèi)存的有效帶寬增加了一倍。這可能會(huì)對未來個(gè)人電腦帶來深遠(yuǎn)的影響：當(dāng)前雙通道DDR4需要同時(shí)插兩根內(nèi)存條，而DDR5可能只需要一根內(nèi)存就能實(shí)現(xiàn)雙通道操作。

更大的存儲(chǔ)容量：

和固態(tài)硬盤使用的NAND閃存一樣，內(nèi)存的也在用更大的單die容量來提升單根內(nèi)存條的容量。DDR5的單die容量從DDR4的16Gbit提高到64Gbit。單根UDIMM內(nèi)存條的容量可達(dá)到128GB，而LRDIMM內(nèi)存條容量則可達(dá)到2TB。

電源管理從主板移動(dòng)到內(nèi)存條：

DDR5內(nèi)存的工作電壓將進(jìn)一步降低到1.1V。同時(shí)，DDR5內(nèi)存還將自帶電壓調(diào)節(jié)器，從而把這部分職能從主板遷移到內(nèi)存條上來。包括UDIMM和LRDIMM類型的DDR5內(nèi)存都將集成穩(wěn)壓器。

應(yīng)用日期確定：

JEDEC預(yù)計(jì)DDR5將在未來12到18個(gè)月內(nèi)開始得到采用，預(yù)計(jì)生命周期將和DDR3/DDR4接近，持續(xù)7年左右。DDR5內(nèi)存規(guī)范將首先從服務(wù)器平臺(tái)起步，預(yù)計(jì)2021年將有基于DDR5內(nèi)存的服務(wù)器硬件。個(gè)人電腦和其他設(shè)備上的DDR5普及會(huì)相對略晚一些。考慮到AMD在AM4接口上的最后一代架構(gòu)ZEN3會(huì)在今年年底問世，也許下一代的“AM5”插槽就會(huì)擁有DDR5內(nèi)存支持。

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