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引言& u9 N: L, Q* O
半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展,推動(dòng)技術(shù)邊界,以滿足對更快、更高效、更強(qiáng)大電子設(shè)備的持續(xù)增長需求。這一領(lǐng)域的關(guān)鍵創(chuàng)新之一是先進(jìn)半導(dǎo)體封裝。本文簡介2.5D和3D封裝技術(shù)的發(fā)展、優(yōu)勢和挑戰(zhàn),以及在各種應(yīng)用中的影響[1]。' { s4 j/ i$ m; ?+ @
2 T/ G& ^: E0 A. Q6 @半導(dǎo)體封裝的演變
) E/ w z! Z1 z! D$ G半導(dǎo)體封裝技術(shù)已從最初的1D PCB水平發(fā)展到今天的晶圓級(jí)3D混合鍵合封裝。這一進(jìn)步實(shí)現(xiàn)了單位數(shù)微米的互連間距,能夠以高能效達(dá)到超過1000 GB/s的帶寬。5 R; x& A6 S' n) }8 o! V( H1 }
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四個(gè)關(guān)鍵參數(shù)塑造了先進(jìn)半導(dǎo)體封裝的發(fā)展:功率:通過創(chuàng)新封裝技術(shù)提高功率效率。性能:通過縮短互連間距增加輸入/輸出(I/O)點(diǎn)數(shù),提高帶寬并減少通信長度。面積:高性能計(jì)算芯片需要更大的封裝面積,而3D集成則需要更小的z軸尺寸。成本:通過使用替代的更經(jīng)濟(jì)材料或提高制造設(shè)備效率,持續(xù)降低封裝成本。
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2.5D封裝技術(shù)
6 F* ]! u4 H8 h0 t7 Z8 m2.5D封裝技術(shù)涉及使用中間層連接多個(gè)芯片。根據(jù)中間層材料的選擇,2.5D封裝分為三種主要類型:- g7 m0 Z' _' Q& x
1. 硅基中間層:
- x1 B l9 P% P- i. O4 a兩種選擇:硅中間層(全被動(dòng)硅晶圓)和硅橋(扇出式模塑化合物中的局部硅橋或帶腔基板)。優(yōu)勢:最精細(xì)的布線特征,適用于高性能計(jì)算集成。挑戰(zhàn):材料和制造成本較高,封裝面積限制。未來趨勢:增加使用局部硅橋以解決面積限制和成本問題。# B5 P$ f) `0 x3 t) I
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2. 有機(jī)基中間層:
4 F1 P7 b8 [! ?; k, m使用扇出式模塑化合物而非有機(jī)基板。優(yōu)勢:介電常數(shù)低于硅(較低的RC延遲),更具成本效益。挑戰(zhàn):難以達(dá)到與硅基封裝相同水平的互連特征縮減。7 C$ l; L# m3 ]" R+ m x! b, ?7 B
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3. 玻璃基中間層:
0 Z9 a9 O4 K' v' i" }, M優(yōu)勢:可調(diào)熱膨脹系數(shù)(CTE),高尺寸穩(wěn)定性,光滑平整的表面。布線特征有潛力與硅媲美。挑戰(zhàn):生態(tài)系統(tǒng)不成熟,目前缺乏大規(guī)模量產(chǎn)能力。
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3D封裝技術(shù)- p3 d! p" E) n4 r2 \% c K0 i/ k
3D封裝技術(shù)專注于芯片的垂直堆疊,主要有兩種方法:* [5 ?* q L3 O6 K6 Q& z5 c3 `8 N
1. 微凸點(diǎn)技術(shù):& z3 s; o9 x& W# T- e) q& g
基于熱壓焊接(TCB)工藝。技術(shù)成熟,應(yīng)用于多種產(chǎn)品。持續(xù)努力縮小凸點(diǎn)間距。挑戰(zhàn):較小焊球中金屬間化合物(IMCs)形成增加,潛在的焊球橋接問題,與銅相比電阻率較高。8 Q, t, g$ l6 V
/ J1 K4 W$ G8 J: c# T. M* [- y2. 混合鍵合:7 t5 H( e8 a# p) p' n* g
通過結(jié)合介電材料(SiO2)和嵌入金屬(Cu)創(chuàng)建永久互連。實(shí)現(xiàn)低于10微米(通常為個(gè)位數(shù)μm)的間距。優(yōu)勢:擴(kuò)展I/O,增加帶寬,增強(qiáng)3D垂直堆疊,提高功率效率,減少寄生效應(yīng)和熱阻。挑戰(zhàn):制造復(fù)雜性和較高成本。
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7 N+ _2 _' S% ]" t應(yīng)用和市場影響& k# F; v: _% |, Q. B- p
先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)在多個(gè)關(guān)鍵市場中找到應(yīng)用:. P2 W& `- P. V, S& [7 e
1. 人工智能和數(shù)據(jù)中心:
0 K$ Y0 V6 m3 z4 `. C H推動(dòng)對高性能計(jì)算解決方案的需求。需要能夠處理增加的功率和性能需求的封裝技術(shù)。
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2. 5G網(wǎng)絡(luò):
/ L7 R: h; W2 j# u6 V先進(jìn)封裝對5G無線電和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施至關(guān)重要。實(shí)現(xiàn)更高頻率和增加帶寬。4 {0 t* h9 p4 P
" w) O# \: y; U9 ?- Z) ^ |3. 自動(dòng)駕駛汽車:
b& {- d0 c- {! [8 j需要先進(jìn)封裝用于傳感器、處理器和通信系統(tǒng)。強(qiáng)調(diào)在惡劣環(huán)境中的可靠性和性能。
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: b) A2 p! u% M# R4. 消費(fèi)電子:" c- @( O* {( u4 C( @; ~4 U
智能手機(jī)、平板電腦、智能手表和AR/VR設(shè)備受益于更小的尺寸和更高的性能。先進(jìn)封裝實(shí)現(xiàn)在緊湊設(shè)計(jì)中集成多種功能。
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未來展望: y4 o3 a- A3 K5 _0 n% a
先進(jìn)半導(dǎo)體封裝行業(yè)將迎來顯著增長和創(chuàng)新。需要關(guān)注的主要趨勢包括:) `! R6 v( A! x. C! m7 a5 b
互連間距持續(xù)縮小,特別是混合鍵合技術(shù)。開發(fā)新材料和工藝以解決熱管理和功率效率挑戰(zhàn)。增加采用基于chiplet的設(shè)計(jì)和異構(gòu)集成。玻璃基中間層技術(shù)的成熟和潛在的廣泛采用。制造工藝的進(jìn)步,以降低成本和提高良率。1 V" j2 a! Z) U. a A6 O
8 ?4 \) X" m5 `8 ~9 p# ^2 R隨著對更強(qiáng)大、更高效電子設(shè)備需求的持續(xù)增長,先進(jìn)半導(dǎo)體封裝將在實(shí)現(xiàn)下一代技術(shù)方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。從人工智能和5G到自動(dòng)駕駛汽車及更多領(lǐng)域,這些封裝創(chuàng)新將成為日益互聯(lián)和智能世界的核心。+ y# n: c+ K, Z% r; {
( M& C: @/ B8 }( k+ b* N4 p' t參考文獻(xiàn)
Y. N- \7 q3 [2 X7 ][1] IDTechEx, "Advanced Semiconductor Packaging 2024-2034: Forecasts, Technologies, Applications," IDTechEx, Jan. 11, 2024. [Online]. Available: https://www.azonano.com/news.aspx?newsID=40634.) h2 T9 a" X- H- ^ \* G3 b3 h( C2 d
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