本帖最后由 lfljiang 于 2016-12-4 11:28 編輯 E- f0 o7 B" x9 @3 o
& D! _0 N. ~5 ZSDRAM（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）1 r6 p+ d$ m6 \% x, |. X: P2 x
引腳定義如下：
8 K* }. s8 y/ ~4 h1 {$ B
1 s& O' P5 ~/ B8 M0 G& I
9 S) V* c$ O, @; M& L布局：
8 N% g P0 U2 k/ L0 ~- J7 F7 u原則——靠近主控（CPU）放置
% P0 q; _( X& c. W- W m當(dāng)只有1片SDRAM存在時(shí)，采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的布局方式，SDRAM到CPU推薦的中心距離：900-1000mil' ]$ M0 J" H1 X9 x9 ]
; F) t! N8 R6 c0 D. e
) y. v4 s+ E- o9 ~+ u. b) x
* A" t1 b$ y- w
; s$ y3 @: m4 |: _% b4 \當(dāng)有2片SDRAM存在時(shí)，相對(duì)于CPU嚴(yán)格對(duì)稱
) N' a0 s; l, e( \" }' [' s. f; r
1 c" _# R; R: R2 U& @; q$ E6 T1 ?4 J! {+ m
* m4 D9 c+ C* f1 Y5 C0 q' Z3 i
z' L8 m' K1 f+ h5 Y+ I布線要求：
0 S6 q: W: s7 s( ?/ G9 j1.特性阻抗:50歐1 X& n3 \( u$ w$ {. [* w6 o9 }
2.數(shù)據(jù)線每9根盡量走在同一層(D0~D7,LDQM;D8~D15,HDQM)
/ [; K" `, J0 }& S, M4 O5 Y' k* K3. 信號(hào)線的間距滿足3W原則. e# B5 {( z/ E. E5 Q5 ]
4. 數(shù)據(jù)線、地址（控制）線、時(shí)鐘線之間的距離保持20mil以上或至少3W
$ L P3 [* J" s' j" }' n# z5. 空間允許的情況下,應(yīng)該在它們走線之間加一根地線進(jìn)行隔離。地線寬度, F& _0 s( r- o) x& c! S
推薦為15-30mil2 r. {* ?: f% Q7 Z% ~' I( o
6. 完整的參考平面: r4 w( C" Q( A# b/ [
0 [+ r8 L: }; f* O8 j) y
/ @, \ o1 ?! }2 p" x
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