AMEYA360：佰維存儲推出新一代高效能LPDDR5X內(nèi)存，加速高性能終端設備AI應用

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　根據(jù)IDC預測，到2024年底，全球內(nèi)置GenAI功能的智能手機出貨量將達2.342億部，同比增長363.6%，占整體出貨量的19%;到2028年，這一數(shù)字預計將增長至9.12億部，2024年至2028年的年復合增長率將達到78.4%。這種快速增長反映了市場對智能化服務和用戶體驗升級的強烈需求。GenAI功能不僅**更個性化和智能的服務，還對智能手機硬件提出了更高要求，包括高算力SoC和高速可靠的嵌入式存儲器，以確保手機流暢運行。

　　近日，佰維存儲推出了新一代高效能內(nèi)存——LPDDR5X，產(chǎn)品采用了1bnm制程工藝，與上一代產(chǎn)品相比，數(shù)據(jù)傳輸速率提高33%至8533Mbps，功耗降低25%，容量為8GB、12GB、16GB(ES階段)，為旗艦智能手機等終端設備**卓越的性能與節(jié)能優(yōu)勢。

　　01速率提升33%，加速高性能移動設備AI應用

　　佰維LPDDR5X的數(shù)據(jù)傳輸速率高達8533Mbps，較上代產(chǎn)品提升33%。這一提升主要得益于LPDDR5X采用了更先進的時鐘技術和電路設計，支持更高的時鐘頻率，從而實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸。同時，為了在更高的頻率下保持信號的穩(wěn)定性和可靠性，LPDDR5X引入了更先進的信號完整性和抗干擾技術。

　　此外，LPDDR5X通過降低電壓擺幅和采用更高效的驅(qū)動器和接收器設計，提高了信號的驅(qū)動能力和接收靈敏度，從而支持更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。LPDDR5X還優(yōu)化了內(nèi)部時序參數(shù)，降低了CAS Latency，減少了數(shù)據(jù)訪問等待時間，并通過**行激活時間和行預充電時間，提高了整體效率，確保在高頻率下仍能保持穩(wěn)定和高效的數(shù)據(jù)傳輸，助力高性能移動設備AI應用。

　　02功耗降低25%，更高能效提升設備續(xù)航能力

　　佰維LPDDR5X采用了先進的1bnm制程工藝和創(chuàng)新的電路設計。產(chǎn)品通過降低輔助電源電壓(VDD2)，減少了整體功耗。產(chǎn)品還進一步優(yōu)化了動態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)技術(DVFS)，可根據(jù)實際負載情況動態(tài)調(diào)整工作電壓和頻率，在低負載時降低電壓和頻率，從而顯著減少功耗;在空閑時進入深度睡眠模式(Deep-sleep mode)，大幅降低功耗，延長電池壽命。

　　此外，LPDDR5X引入了自適應刷新技術，可根據(jù)實際工作條件動態(tài)調(diào)整刷新周期。這使得內(nèi)存可以在保持數(shù)據(jù)完整性的同時，減少不必要的刷新操作，從而降低功耗。這些技術**共同確保了LPDDR5X在高性能移動設備和計算平臺中的高效能和長續(xù)航能力。

　　03先進測試能力加持，打造高品質(zhì)與一致性

　　DRAM芯片產(chǎn)品的核心技術之一在于測試。佰維存儲基于對半導體存儲器的全維度深入理解，采用了行業(yè)領先的半導體測試機臺Advantest T5503HS2，并結(jié)合自研的自動化測試設備，以及自研測試軟件平臺、核心測試算法，覆蓋了從設計驗證到量產(chǎn)測試的全過程。通過先進的測試技術和嚴格的品質(zhì)控制流程，佰維存儲能夠有效識別和排除潛在的質(zhì)量問題，確保每一顆LPDDR5X芯片在性能、可靠性和穩(wěn)定性方面均符合嚴苛標準，打造產(chǎn)品的高品質(zhì)和一致性。

　　/ 結(jié)語 /

　　佰維存儲LPDDR5X內(nèi)存憑借其顯著提升的數(shù)據(jù)傳輸速率和更低的功耗，可為高端智能手機、筆記本電腦、5G設備等高性能設備**卓越的操作體驗，并助力其實現(xiàn)更長的電池續(xù)航和更高的整體性能。展望未來，隨著端側(cè)AI應用的不斷普及和發(fā)展，本地實現(xiàn)流暢運行大模型對終端設備的存儲能力帶來更高要求，驅(qū)動存儲提速、擴容。佰維存儲將繼續(xù)發(fā)揮其研發(fā)封測一體化布局優(yōu)勢，通過在存儲芯片設計、解決方案研發(fā)、封測制造等領域的持續(xù)研發(fā)投入和技術創(chuàng)新，不斷滿足智能終端市場對更高性能、更低功耗、更高可靠性的存儲解決方案的需求，助力客戶提升產(chǎn)品競爭力。